FQD7N30TF
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Fairchild/ON Semiconductor FQD7N30TF
| Artikelnummer: | FQD7N30TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Fairchild/ON Semiconductor FQD7N30TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD7N30TF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 2.75A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 300V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) FQD7N30TF Einzelheiten PDF [English] FQD7N30TF PDF - EN.pdf -
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